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SAMSUNG

Samsung 990 EVO Plus SSD M.2 1TB PCIe 5.0 x2 NVMe 2.0 NAND

MPN MZ-V9S1T0BW
EAN 8806095575674
251,66
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Descripción del Producto

Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
Análisis del Experto GuruTECH

Potencia y Eficiencia en Almacenamiento: Samsung MZ-V9S1T0 1TB NVMe SSD

En un mercado donde la velocidad y la eficiencia son esenciales para el rendimiento de los sistemas, el Samsung MZ-V9S1T0 se presenta como una opción sólida en la categoría de unidades de estado sólido (SSD). Con una capacidad de 1 TB y una interfaz PCI Express 4.0, este SSD está diseñado para satisfacer las demandas de usuarios que requieren un almacenamiento rápido y fiable, tanto en entornos de trabajo como en el gaming. Samsung, conocido por su innovación y calidad en tecnología de almacenamiento, ofrece en este modelo un equilibrio entre rendimiento y precio, lo que lo convierte en un contendiente atractivo para aquellos que buscan mejorar su experiencia informática.

Puntos Clave

  • Capacidad de 1 TB: Ideal para almacenar grandes cantidades de datos, juegos y aplicaciones sin comprometer el espacio.

  • Interfaz PCIe 4.0: Ofrece velocidades de lectura de hasta 7150 MB/s y escritura de 6300 MB/s, lo que asegura un acceso rápido a los datos y un rendimiento superior en comparación con las generaciones anteriores de SSD.

  • Alto rendimiento en IOPS: Con 850,000 IOPS en lectura aleatoria y 1,350,000 IOPS en escritura aleatoria, este SSD es capaz de manejar múltiples operaciones simultáneamente, lo que es crucial para tareas intensivas.

  • Tecnología V-NAND TLC: Proporciona una mayor durabilidad y eficiencia energética, lo que se traduce en un rendimiento consistente a lo largo del tiempo.

  • Encriptación de hardware: La inclusión de algoritmos de seguridad como AES de 256 bits asegura que los datos estén protegidos, lo cual es un aspecto fundamental para usuarios que manejan información sensible.

  • Consumo de energía eficiente: Con un consumo promedio de 4,3 W en lectura y 4,2 W en escritura, este SSD es compatible con sistemas que buscan optimizar el uso de energía.

  • Condiciones operativas robustas: Capaz de operar entre 0 y 70 °C y soportar golpes de hasta 1500 G, lo que lo hace adecuado para diversos entornos.

¿Para quién es?

El Samsung MZ-V9S1T0 es adecuado para una amplia gama de usuarios. Es ideal para entusiastas del gaming que buscan reducir los tiempos de carga y mejorar la experiencia de juego, así como para profesionales que manejan aplicaciones pesadas de edición de video o diseño gráfico. También es una opción eficiente para usuarios que desean actualizar sus sistemas de almacenamiento en laptops o PCs de escritorio. Sin embargo, aquellos que simplemente necesitan una solución básica de almacenamiento podrían encontrar alternativas más económicas que satisfagan sus necesidades.

Pros y Contras

Pros Contras
Velocidades de lectura y escritura muy altas Precio superior en comparación con SSDs SATA
Alta capacidad de almacenamiento de 1 TB No es la opción más económica del mercado
Soporte para encriptación de hardware Puede requerir una placa madre compatible con PCIe 4.0 para aprovechar todas las ventajas
Buen rendimiento en IOPS La instalación en algunos sistemas puede ser complicada para usuarios inexpertos
Consumo de energía eficiente -

En resumen, el Samsung MZ-V9S1T0 es un SSD robusto y eficiente, muy bien posicionado para quienes buscan un rendimiento de alto nivel en sus sistemas. Aunque su precio puede ser más alto que el de unidades SATA convencionales, la inversión se justifica por las capacidades y tecnologías que ofrece.

Especificaciones Técnicas

Características

Versión NVMe 2.0
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
SDD, capacidad 1 TB
Factor de forma de disco SSD M.2
Interfaz PCI Express 4.0
NVMe Si
Tipo de memoria V-NAND TLC
Componente para PC
Encriptación de hardware Si
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura 7150 MB/s
Velocidad de escritura 6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB) 850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 1350000 IOPS
Función DevSleep Si
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
Tiempo medio entre fallos 1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación 3,3 V
Consumo de energía (lectura) 4,3 W
Consumo de energía (escritura) 4,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura) 4,3 W
Consumo eléctrico promedio (escritura) 4,2 W
Consumo de energía (espera) 0,06 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW

Peso y dimensiones

Ancho 80,2 mm
Profundidad 2,38 mm
Altura 80,2 mm
Peso 9 g

Empaquetado

Ancho del paquete 145 mm
Profundidad del paquete 100 mm
Altura del paquete 24 mm
Peso del paquete 68 g

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento 1500 G

Las imágenes y descripciones técnicas se facilitan con fines informativos y pueden no reflejar fielmente el producto final debido a las actualizaciones constantes del fabricante.

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