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Samsung 9100 PRO SSD 4TB PCIe 5.0 14800 MB/s

Samsung 9100 PRO SSD 4TB PCIe 5.0 14800 MB/s

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Samsung

Samsung 9100 PRO SSD 4TB PCIe 5.0 14800 MB/s

Name: Samsung 9100 PRO SSD 4TB PCIe 5.0 14800 MB/s
Brand: Samsung
SKU: MZ-VAP4T0BW
Price: 774.63 EUR
Availability: OutOfStock

MPN MZ-VAP4T0BW

EAN 8806095811703

774,63 €

IVA Incluido

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Garantía 3 Años

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Descripción del Producto

Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/Consola de videojuegos

Especificaciones Técnicas

Características

Versión NVMe 2.0

Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES

SDD, capacidad 4 TB

Factor de forma de disco SSD M.2

Interfaz PCI Express 5.0

NVMe Si

Tipo de memoria V-NAND TLC

Componente para PC/Consola de videojuegos

Encriptación de hardware Si

Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)

Velocidad de lectura 14800 MB/s

Velocidad de escritura 13400 MB/s

Lectura aleatoria (4KB) 2200000 IOPS

Escritura aleatoria (4KB) 2600000 IOPS

Carriles datos de interfaz PCI Express x4

Función DevSleep Si

Soporte S.M.A.R.T. Si

Soporte TRIM Si

Tiempo medio entre fallos 1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación 3,3 V

Consumo de energía (lectura) 9 W

Consumo de energía (escritura) 8,2 W

Consumo eléctrico promedio (lectura) 9 W

Consumo eléctrico promedio (escritura) 8,2 W

Consumo de energía (espera) 0,007 W

Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5,7 mW

Peso y dimensiones

Ancho 80,2 mm

Profundidad 2,38 mm

Altura 80,2 mm

Peso 9 g

Empaquetado

Ancho del paquete 143 mm

Profundidad del paquete 98 mm

Altura del paquete 22 mm

Peso del paquete 65 g

Tipo de embalaje Caja

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C

Golpes en funcionamiento 1500 G

Otras características

Periodo de garantía 3 años

Las imágenes y descripciones técnicas se facilitan con fines informativos y pueden no reflejar fielmente el producto final debido a las actualizaciones constantes del fabricante.