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Samsung Mz-V9S1T0 1 Tb M.2 Pci Express 4.0 Nvme V-Nand Tlc

Name: Samsung Mz-V9S1T0 1 Tb M.2 Pci Express 4.0 Nvme V-Nand Tlc
Brand: SAMSUNG
SKU: MZ-V9S1T0BW
Price: 221.74 EUR
Availability: InStock

MPN MZ-V9S1T0BW

EAN 8806095575674

221,74 €

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Descripción del Producto

Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC

Especificaciones Técnicas

Características

Versión NVMe 2.0

Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES

SDD, capacidad 1 TB

Factor de forma de disco SSD M.2

Interfaz PCI Express 4.0

NVMe Si

Tipo de memoria V-NAND TLC

Componente para PC

Encriptación de hardware Si

Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)

Velocidad de lectura 7150 MB/s

Velocidad de escritura 6300 MB/s

Lectura aleatoria (4KB) 850000 IOPS

Escritura aleatoria (4KB) 1350000 IOPS

Función DevSleep Si

Soporte S.M.A.R.T. Si

Soporte TRIM Si

Tiempo medio entre fallos 1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación 3,3 V

Consumo de energía (lectura) 4,3 W

Consumo de energía (escritura) 4,2 W

Consumo eléctrico promedio (lectura) 4,3 W

Consumo eléctrico promedio (escritura) 4,2 W

Consumo de energía (espera) 0,06 W

Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW

Peso y dimensiones

Ancho 80,2 mm

Profundidad 2,38 mm

Altura 80,2 mm

Peso 9 g

Empaquetado

Ancho del paquete 145 mm

Profundidad del paquete 100 mm

Altura del paquete 24 mm

Peso del paquete 68 g

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C

Golpes en funcionamiento 1500 G

Las imágenes y descripciones técnicas se facilitan con fines informativos y pueden no reflejar fielmente el producto final debido a las actualizaciones constantes del fabricante.